[发明专利]初始化数字像素阵列存储器的装置在审

专利信息
申请号: 201410198081.0 申请日: 2014-05-12
公开(公告)号: CN103986887A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 姚素英;李渊清;徐江涛;史再峰;高静;高志远;聂凯明 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/3745
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及集成电路中的CMOS图像传感器设计领域,为解决数字像素CMOS图像传感器由于复位时的较大的电压降导致芯片功能失效的问题。为此,本发明采取的技术方案是,初始化数字像素阵列存储器装置,其数字像素结构为:光电二极管的P型掺杂区接地、N区连接复位管的源端,复位管的漏端连接电源;比较器的正端连接至参考电位VREF;比较器的输出驱动一个反相器,反相器的输出控制像素内部存储器的写使能端WR;选通信号RD_EN驱动选通晶体管MRD的栅端,控制像素内部存储器的输出端口OUT与外部列数据总线之间的连接性;增加一个用户可控制引脚PD_RST。本发明主要应用于数字电路设计。
搜索关键词: 初始化 数字 像素 阵列 存储器 装置
【主权项】:
一种初始化数字像素阵列存储器的装置,其特征是,数字像素结构为:光电二极管的P型掺杂区接地、N区连接复位管的源端,复位管的漏端连接电源;复位管是N型金属‑氧化物‑半导体晶体管,其栅端连接复位信号RST;光电二极管的N区连接至比较器的负端,比较器的正端连接至参考电位VREF;比较器的输出驱动一个反相器,反相器的输出控制像素内部存储器的写使能端WR;像素内部存储器在WR为高电位时接收外部全局计数器的计数值,计数值由IN端口被写入像素内部存储器;选通信号RD_EN驱动选通晶体管MRD的栅端,控制像素内部存储器的输出端口OUT与外部列数据总线之间的连接性;增加一个用户可控制引脚PD_RST,使该信号与由数字控制逻辑产生的像素复位信号RST通过一个或门进行或运算,得到的结果再作为整个像素阵列中所有像素的复位信号。
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