[发明专利]初始化数字像素阵列存储器的装置在审
申请号: | 201410198081.0 | 申请日: | 2014-05-12 |
公开(公告)号: | CN103986887A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 姚素英;李渊清;徐江涛;史再峰;高静;高志远;聂凯明 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/3745 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 刘国威 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及集成电路中的CMOS图像传感器设计领域,为解决数字像素CMOS图像传感器由于复位时的较大的电压降导致芯片功能失效的问题。为此,本发明采取的技术方案是,初始化数字像素阵列存储器装置,其数字像素结构为:光电二极管的P型掺杂区接地、N区连接复位管的源端,复位管的漏端连接电源;比较器的正端连接至参考电位VREF;比较器的输出驱动一个反相器,反相器的输出控制像素内部存储器的写使能端WR;选通信号RD_EN驱动选通晶体管MRD的栅端,控制像素内部存储器的输出端口OUT与外部列数据总线之间的连接性;增加一个用户可控制引脚PD_RST。本发明主要应用于数字电路设计。 | ||
搜索关键词: | 初始化 数字 像素 阵列 存储器 装置 | ||
【主权项】:
一种初始化数字像素阵列存储器的装置,其特征是,数字像素结构为:光电二极管的P型掺杂区接地、N区连接复位管的源端,复位管的漏端连接电源;复位管是N型金属‑氧化物‑半导体晶体管,其栅端连接复位信号RST;光电二极管的N区连接至比较器的负端,比较器的正端连接至参考电位VREF;比较器的输出驱动一个反相器,反相器的输出控制像素内部存储器的写使能端WR;像素内部存储器在WR为高电位时接收外部全局计数器的计数值,计数值由IN端口被写入像素内部存储器;选通信号RD_EN驱动选通晶体管MRD的栅端,控制像素内部存储器的输出端口OUT与外部列数据总线之间的连接性;增加一个用户可控制引脚PD_RST,使该信号与由数字控制逻辑产生的像素复位信号RST通过一个或门进行或运算,得到的结果再作为整个像素阵列中所有像素的复位信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410198081.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种农业环境监测装置
- 下一篇:小容量灌装机