[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410192690.5 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN105097494B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 朱海云 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种刻蚀方法，该刻蚀方法包括交替进行的以下步骤初期沉积步骤，通入沉积气体，在基片的沟槽的底壁表面上和侧壁表面上形成第一保护层；初期刻蚀步骤，通入刻蚀气体，对所述沟槽的底壁表面上的第一保护层进行刻蚀，同时通入保护气体，该保护气体能够将基片氧化，以在所述沟槽的底壁表面上和侧壁表面的第一保护层上形成第二保护层。在本发明中，所述刻蚀方法能够在沟槽的侧壁表面上形成第一保护层和第二保护层，与现有技术相比，本发明提供的刻蚀方法能够降低横向刻蚀速度，从而能够有效地减少侧壁弯曲现象的发生，进而提高产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀方法，其特征在于，该刻蚀方法包括交替进行的以下步骤：初期沉积步骤，通入沉积气体，在基片的沟槽的底壁表面上和侧壁表面上形成第一保护层；初期刻蚀步骤，通入刻蚀气体，对所述沟槽的底壁表面上的第一保护层进行刻蚀，同时通入保护气体，该保护气体能够将基片氧化，以在所述沟槽的底壁表面上和侧壁表面的第一保护层上形成第二保护层；当所述沟槽的深度达到预定深度时，还包括，中期刻蚀步骤，交替通入所述沉积气体和所述刻蚀气体，且停止通入所述保护气体，以对所述沟槽进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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