[发明专利]防止化学机械研磨过程中研磨颗粒嵌入晶圆表面的方法在审
| 申请号： | 201410191026.9 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN105081891A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 杨贵璞;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种防止化学机械研磨过程中研磨颗粒嵌入晶圆表面的方法，包括如下步骤：使用第一下压力将晶圆表面50％-80％的膜层去除；使用比第一下压力值小的第二下压力将晶圆表面余下的20％-50％的膜层去除；在第二下压力值下清洗晶圆表面和研磨垫。本发明在使用下压力值较大的第一下压力去除晶圆表面大部分的膜层时，虽然可能会有研磨颗粒嵌入晶圆表面的膜层，但在接下来使用下压力值较小的第二下压力去除晶圆表面余下的膜层时，可以将嵌有研磨颗粒的膜层一并去除，而由于第二下压力值较小，不足以使研磨颗粒嵌入晶圆表面，因此，解决了化学机械研磨过程中研磨颗粒可能会嵌入晶圆表面的问题，提高了芯片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 化学 机械 研磨 过程 颗粒 嵌入 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种防止化学机械研磨过程中研磨颗粒嵌入晶圆表面的方法，其特征在于，包括如下步骤：使用第一下压力将晶圆表面50％‑80％的膜层去除；使用比第一下压力值小的第二下压力将晶圆表面余下的20％‑50％的膜层去除；在第二下压力值下清洗晶圆表面和研磨垫。
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