[发明专利]互连结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410184635.1 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105097648B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;任佳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种互连结构的形成方法，包括提供衬底；在所述衬底上形成具有第一尺寸晶粒的第一金属层，对具有第一尺寸晶粒的第一金属层进行处理，使所述第一尺寸晶粒转换为第二尺寸晶粒，所述第二尺寸大于所述第一尺寸；在形成具有第二尺寸晶粒的第一金属层之后，采用等离子刻蚀机对所述第一金属层进行刻蚀，去除部分第一金属层以形成第一导电结构。本发明的有益效果在于，增加了第一金属层中晶粒尺寸，使得电子在第一金属层中传输时，电子到达晶粒的边界的几率变小，从而在一定程度上减少了电子在晶粒边界发生电子散射的现象，提高了第一金属层的导电率，进而得到了具有较高的导电率的互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成具有第一尺寸晶粒的第一金属层；对具有第一尺寸晶粒的第一金属层进行处理，使所述第一尺寸晶粒转换为第二尺寸晶粒，所述第二尺寸大于所述第一尺寸；在形成具有第二尺寸晶粒的第一金属层之后，对所述第一金属层进行刻蚀，去除部分第一金属层以形成第一导电结构；在所述衬底表面上形成能够露出所述第一导电结构的层间介质层；在所述层间介质层以及第一导电结构上形成具有第二尺寸晶粒的第二金属层，并与所述第一导电结构的露出部分相互接触；去除部分所述第二金属层，以形成第二导电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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