[发明专利]具ESD保护结构的半导体器件

摘要

本发明涉及一种具ESD保护结构的半导体器件，所述半导体器件包括高压功率器件，所述ESD保护结构是NMOS管，所述NMOS管的漏极与所述功率器件的源极共用，功率器件的衬底引出区与NMOS管的衬底引出区和源极连接、作为地线引出。本发明的NMOS管的漏极与功率器件的源极共用，因此加入了ESD保护结构后器件增加的面积较小。且高压功率器件源极处能够得到较低的holding电压，从而保护了栅氧，提高了源极可靠性。

主权项

一种具ESD保护结构的半导体器件，所述半导体器件包括功率器件，其特征在于，所述ESD保护结构是NMOS管，所述NMOS管的漏极与所述功率器件的源极共用，功率器件的衬底引出区与NMOS管的衬底引出区和源极连接、作为地线引出；所述半导体器件包括第一掺杂类型的衬底，所述衬底上的第一掺杂类型的阱区和第二掺杂类型的漂移区，所述阱区内的衬底引出区和两个第二掺杂类型的引出区，所述漂移区内的漏极，所述阱区上的第一栅极和第二栅极，以及将所述第二栅极和漏极分隔开的氧化层；所述漂移区内的漏极为所述功率器件的漏极；所述两个第二掺杂类型的引出区中的一个作为所述NMOS管的源极引出区，靠近所述衬底引出区并通过金属导线与所述衬底引出区连接作为所述地线引出；所述两个第二掺杂类型的引出区中的另一个靠近所述氧化层，作为所述NMOS管的漏极与所述功率器件的源极被共用；所述第一栅极设于所述两个第二掺杂类型的引出区之间，作为所述NMOS管的栅极，所述第二栅极设于所述功率器件的源极与所述氧化层之间，作为所述功率器件的栅极；所述第一掺杂类型和第二掺杂类型的导电类型相反。