[发明专利]一种具有P型AlInGaN接触层的LED及其制备方法在审
| 申请号： | 201410182935.6 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105023980A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | 逯瑶;王成新;曲爽 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有P型AlInGaN接触层的LED及其制备方法，其结构由下至上依次包括衬底，成核层，缓冲层，N型GaN层，多量子阱发光层，P型结构；所述P型结构组成依次为P型AlGaN层、P型GaN层和P型AlInGaN接触层。通过LED芯片中所设置的P型AlInGaN层中In的掺杂量有规律的变化后，改变了P型AlInGaN层的能带分布，减弱了P型AlInGaN层的价带对空穴注入时的阻挡作用，同时不削弱其对电子的阻挡作用。该结构在一定程度上能够改善表面粗化。通过采用该结构，LED芯片的欧姆接触能降低10％左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 alingan 接触 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有P型AlInGaN接触层的LED，其结构由下至上依次包括衬底，成核层，缓冲层，N型GaN层，多量子阱发光层，P型结构；其中，所述成核层是氮化镓层、氮化铝层或铝镓氮层之一；所述缓冲层为非掺杂GaN层；所述多量子阱发光层是由InGaN势阱层和GaN势垒层周期性交替叠加构成；所述P型结构组成依次为P型AlGaN层、P型GaN层和P型AlInGaN接触层。
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