[发明专利]Cu掺杂Type-II型核壳结构白光量子点材料及制备方法有效
| 申请号： | 201410177779.4 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103952136A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 解仁国;张卓磊;张颖;杨文胜 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;C09K11/56;H01L33/50 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的Cu掺杂Type-II型核壳结构白光量子点材料及制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。量子点结构中核为Cu掺杂的CdS量子点，在核的基础上包覆ZnSe量子壁以形成II型核壳结构，再包覆宽带隙ZnS钝化保护层，最终量子点为Cu：CdS/ZnSe/ZnS结构。本发明的量子点材料具有连续宽谱白光，具有较大的斯托克斯位移，自吸收较小，具有较高的荧光量子效率和较高的显色指数，光色在空间分布均匀，通过调节内核CdS的尺寸，外壁ZnSe的厚度以及Cu掺杂浓度可调节不同的色度坐标和色温，本发明制备的量子点材料在一定温度范围内无光色畸变现象，同时经长时间蓝光激发后，量子点仍然具有较好的光稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | cu 掺杂 type ii 型核壳 结构 白光 量子 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu掺杂Type‑II型核壳结构白光量子点材料，其结构有Cu掺杂CdS量子点核、ZnSe量子壁以及ZnS宽带隙钝化保护层；所述的Cu掺杂CdS量子点核是尺寸为2nm～5nm的Cu掺杂的CdS量子点，所述的ZnSe量子壁是1～4层的ZnSe；所述的ZnS宽带隙钝化保护层是1～2层的ZnS。
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