[发明专利]发光装置有效
| 申请号： | 201410171732.7 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104124319B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 米田章法;木内章喜;笠井久嗣;粟饭原善之;佐佐博凡;中村伸治 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于，提供一种小型且具有充分的强度并且具备高量产性的发光装置。为此，本发明的发光装置具有半导体芯片，其包含p型半导体层和n型半导体层，在该p型半导体层与该n型半导体层之间发光；p侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上；n侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上；树脂层，其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面；和p侧连接电极以及n侧连接电极，其配置在所述树脂层的外表面，且位于所述半导体芯片的上表面侧，所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种发光装置，其特征在于，具有：半导体芯片，其包含p型半导体层和n型半导体层，在该p型半导体层和该n型半导体层之间发光；p侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上；n侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上；树脂层，其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面；和p侧连接电极以及n侧连接电极，其配置在所述树脂层的外表面，且位于所述半导体芯片的上表面侧，所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方，通过配置在所述树脂内的金属丝而连接，所述发光装置还包含层叠了多个凸块的凸块层叠体，该凸块层叠体将所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间连接，所述金属丝的一端连接于与连接有所述凸块层叠体的n侧衬垫电极不同的n侧衬垫电极，所述金属丝的另一端连接于所述凸块层叠体的1个凸块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日亚化学工业株式会社，未经日亚化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410171732.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
