[发明专利]一种高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的酞氨西林分子印迹电化学传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410169711.1 申请日: 2014-04-25
公开(公告)号: CN103926286A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 谭学才;雷福厚;韦贻春;李浩;余会成;陈其锋 申请(专利权)人: 广西民族大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 530006 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的酞氨西林分子印迹电化学传感器及其制备方法,以酞氨西林为模板分子、N-叔丁基-2α-羟基-5α-雄甾烯-3-酮-17β-甲酰胺为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、纳米氧化钴为掺杂剂,以松香为原料合成的马来松香丙烯酸乙二醇酯作为交联剂,据此制备了一种高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的酞氨西林分子印迹电化学传感器,该分析方法简单实用,克服了以往分析方法复杂、设备昂贵、灵敏度低的缺点。
搜索关键词: 一种 灵敏度 纳米 氧化钴 掺杂 西林 分子 印迹 电化学传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的酞氨西林分子印迹电化学传感器及其制备方法,其特征在于以酞氨西林为模板分子(浓度0.020mmol/mL~0.060mmol/ml)、N‑叔丁基‑2α‑羟基‑5α‑雄甾烯‑3‑酮‑17β‑甲酰胺为功能单体(浓度0.20mmol/ml~0.50mmol/ml)、偶氮二异丁腈为引发剂(浓度0.09mmol/ml)、以马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂(浓度0.25mmol/ml)、纳米氧化钴为掺杂剂(浓度1.0mg/ml~6.0mg/ml),在玻碳电极表面形成一种杂化纳米氧化钴酞氨西林分子印迹聚合物薄膜,然后采用洗脱剂甲酸和异丙醇混合溶剂(摩尔比5∶2)洗脱模板分子即得; 具体按以下操作进行: <1>向10.0mL溶剂乙醇中,依次加入0.20mmol~0.60mmol模板分子酞氨西林、2.0mmol~5.0mmol功能单体N‑叔丁基‑2α‑羟基‑5α‑雄甾烯‑3‑酮‑17β‑甲酰胺、2.5mmol交联剂马来松香丙烯酸乙二醇酯、0.9mmol引发剂偶氮二异丁腈及10.0mg~60.0mg的纳米氧化钴,每加入一种化学试剂超声波溶解9分钟; <2>取步骤<1>的混合物9μL涂于干净光滑的玻碳电极表面。放置12小时后,将修饰后的电极置于88℃的真空干燥箱内热聚合1.2小时,然后采用洗脱剂甲酸和异丙醇混合溶剂(摩尔比5∶2)将模板分子洗脱,即得。 
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