[发明专利]一种离子注入倾角的日常监控方法有效
| 申请号： | 201410164080.4 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104465435B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种离子注入倾角的日常监控方法，包括以下步骤步骤S1获得一关于方块电阻与离子注入倾角之间关系的原始数据；步骤S2选取一枚监控片，采用转角设置为0度，倾角设置为0度的离子注入，注入后安排退火处理，测量方块电阻的阻值，如此进行持续的周次监控，得到方块电阻统计值；步骤S3将监控得到的电阻统计值与步骤S1中原始数据中最小的方块电阻阻值进行对比，若比对结果在系统允许差值范围内，则进行正常生产，若比对结果不在系统允许差值范围内，则进行步骤S4；步骤S4使用五点法对注入倾角进行复核。通过该方法可以使用少量的监控片，达到长期周次持续监控离子注入机注入角度的效果，节省物料资源，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 倾角 日常 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入倾角的日常监控方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：获得一关于方块电阻与离子注入倾角之间关系的原始数据；步骤S2：选取一枚监控片，采用转角设置为0度，倾角设置为0度的离子注入，注入后安排退火处理，测量方块电阻的阻值，如此进行持续的周次监控，得到方块电阻统计值；步骤S3：将监控得到的电阻统计值与步骤S1中所述原始数据中最小的方块电阻阻值进行对比，若比对结果在系统允许差值范围内，则进行正常生产，若比对结果不在系统允许差值范围内，则进行步骤S4；步骤S4：使用五点法对注入倾角进行复核。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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