[发明专利]一种离子注入倾角的日常监控方法

权利要求书

1.一种离子注入倾角的日常监控方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：获得一关于方块电阻与离子注入倾角之间关系的原始数据；

步骤S2：选取一枚监控片，采用转角设置为0度，倾角设置为0度的离子注入，注入后安排退火处理，测量方块电阻的阻值，如此进行持续的周次监控，得到方块电阻统计值；

步骤S3：将监控得到的电阻统计值与步骤S1中所述原始数据中最小的方块电阻阻值进行对比，若比对结果在系统允许差值范围内，则进行正常生产，若比对结果不在系统允许差值范围内，则进行步骤S4；

步骤S4：使用五点法对注入倾角进行复核。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S4中，使用五点法进行对注入倾角进行复核的具体步骤包括：

步骤S41、提供五片监控片；

步骤S42、将所述五片监控片分别设置成倾角为1度、0.5度、0度、0.5度和1度，并对该五片监控片进行离子注入工艺和退火工艺；

步骤S43、分别测得所述五片监控片的方块电阻，并根据五片监控片的倾角拟合出方块电阻与倾角之间的二次曲线；

步骤S44、计算得到所述二次曲线的对称轴，并获得所述对称轴所对应的倾角，若该倾角位于区间[-0.2,0.2]内时，则所述倾角符合离子注入工艺要求，若该倾角位于区间[-0.2,0.2]外时，则所述倾角不符合离子注入工艺要求。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S1中，通过五点法获得所述原始数据。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：步骤S2和步骤S42中的离子注入均在同一离子注入机台中进行。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述退火处理的温度为900℃～1100℃。

6.根据权利要求5所述的方法，所述退火处理的温度为1000℃。