[发明专利]一种集成电路缺陷的分析方法在审
| 申请号： | 201410163560.9 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN104062305A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路缺陷的分析方法，通过光学缺陷检测设备得出晶圆缺陷分布文件以及晶圆缺陷总分布图，并对不同种类的缺陷特征信号抽样生成缺陷预分析分布图，并通过电子显微镜对缺陷预分析分布图进行真假缺陷的快速分析，然后在此基础上对晶圆上的所有缺陷的形貌分析数量进行针对性选取，最终得到一个更加符合实际的缺陷种类分布图。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 缺陷 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路缺陷的分析方法，其特征在于，所述方法包括：S1：提供一包含若干缺陷的晶圆；S2：通过一光学缺陷检测设备检测所述晶圆并识别出每个所述缺陷中的缺陷特征信号得到一晶圆缺陷分布文件，从而由所述晶圆缺陷分布文件中得出一晶圆缺陷总分布图；S3：所述光学缺陷检测设备通过所述缺陷特征信号对所有所述缺陷进行分类，并在每类缺陷中选取一定数量的预测缺陷，从而得出一晶圆缺陷预分析分布图；S4：将所述晶圆缺陷总分布图和所述晶圆缺陷预分析分布图传输至一缺陷观察设备中；S5：所述缺陷观察设备根据所述晶圆缺陷预分析分布图得出每类预测缺陷中真假信号的权重；S6：所述缺陷观察设备根据预测缺陷中真假信号的权重在所述晶圆所有缺陷中选取若干不同类别缺陷进行观察，以获得所有缺陷样貌种类的分布图；其中，预测缺陷中真信号的权重越大，该类缺陷选取的数量越多。
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