[发明专利]栅氧化层的制造方法无效
| 申请号： | 201410163438.1 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103972070A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张红伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅氧化层的制造方法，包括：提供一硅衬底；对所述硅衬底进行热氧化工艺，以在所述硅衬底的表面上形成二氧化硅栅氧化层；对所述二氧化硅栅氧化层采用等离子体氮化工艺进行氮注入，以形成氮氧化硅栅氧化层；对所述氮氧化硅栅氧化层采用高温氮化工艺以修复晶格损伤并形成稳定的Si-N键；对高温氮化处理后的氮氧化硅栅氧化层采用低温氧化工艺以修复SiO2/Si之间的界面。在本发明提供的栅氧化层的制造方法中，通过高温氮化工艺处理氮注入之后的栅氧化层，使得所述氮氧化硅栅氧化层的Si-N键更加稳定，避免所述氮氧化硅栅氧化层表面的氮原子继续挥发或扩散，从而有效地提高栅氧化层中的氮含量并使其保持稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅氧化层的制造方法，其特征在于，包括：提供一硅衬底；对所述硅衬底进行热氧化工艺，以在所述硅衬底的表面上形成二氧化硅栅氧化层；对所述二氧化硅栅氧化层采用等离子体氮化工艺进行氮注入，以形成氮氧化硅栅氧化层；对所述氮氧化硅栅氧化层采用高温氮化工艺以修复晶格损伤并形成稳定的Si‑N键；对高温氮化处理后的氮氧化硅栅氧化层采用低温氧化工艺以修复SiO2/Si之间的界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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