[发明专利]栅氧化层的制造方法无效
| 申请号： | 201410163438.1 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103972070A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张红伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 制造 方法 | ||
1.一种栅氧化层的制造方法，其特征在于，包括：
提供一硅衬底；
对所述硅衬底进行热氧化工艺，以在所述硅衬底的表面上形成二氧化硅栅氧化层；
对所述二氧化硅栅氧化层采用等离子体氮化工艺进行氮注入，以形成氮氧化硅栅氧化层；
对所述氮氧化硅栅氧化层采用高温氮化工艺以修复晶格损伤并形成稳定的Si-N键；
对高温氮化处理后的氮氧化硅栅氧化层采用低温氧化工艺以修复SiO2/Si之间的界面。
2.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述热氧化工艺包括快速热处理工艺和/或垂直炉管工艺。
3.如权利要求2所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述快速热处理工艺包括原位水蒸气氧化工艺和/或快速热氧化工艺。
4.如权利要求3所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述原位水蒸气氧化工艺包括以N2O和H2为反应气体的一氧化二氮原位水蒸气氧化工艺和/或以O2和H2为反应气体的氢气原位水蒸气氧化工艺。
5.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述等离子体氮化工艺包括去耦等离子体氮化工艺、远程等离子体氮化工艺和/或垂直扩散设备的氮化处理工艺。
6.如权利要求5所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述垂直扩散设备采用的氮源为NO、N2O或NH3中的任意一种。
7.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述高温氮化工艺采用的工艺气体包括氮气和氩气，所述高温氮化工艺的温度在1000℃以上。
8.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述高温氮化工艺的温度范围在1000℃到1100℃之间。
9.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述低温氧化工艺采用的工艺气体为纯氧或氢气与氧气的混合气体，所述低温氧化工艺的温度范围在800℃以下。
10.如权利要求1所述的栅氧化层的制造方法，其特征在于，所述低温氧化工艺的温度范围在500℃到800℃之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
