[发明专利]一种含复合发射层硅异质结太阳电池的制备方法

摘要

本发明提供了一种含复合发射层硅异质结太阳电池的制备方法，该方法在沉积有双面本征非晶硅钝化层I的衬底C的一面沉积非晶硅背场N，而后于N的相对面上在较低掺杂浓度、氢稀释、功率密度的条件下制备结构均匀的非晶硅层P2，再通过提高掺杂浓度、氢稀释、功率密度的条件制备结构均匀的纳米晶硅层P1，两层硅薄膜构成的非晶硅/纳米晶硅复合结构作为硅异质结太阳电池的发射层。该结构可以使材料具有高透过率，高电导的特性，在此基础上也可以改善晶体硅表面的钝化效果，实现提高电池短波响应与输出特性的目的，且其制备方法简单，易于实施。

主权项

一种含复合发射层硅异质结太阳电池的制备方法，包括步骤有:（1）在衬底C相对的两面沉积上本征非晶硅钝化层I，（2）选定其中一面，在本征非晶硅钝化层I上沉积非晶硅背场的N，（3）在另一面的本征非晶硅钝化层I上沉积发射层，（4）在发射层上沉积透明导电薄膜T，（5）分别在透明导电薄膜T和非晶硅背场的N表面上设置电极M₁和M₂，其特征在于，所述的发射层的沉积按先后顺序包括与衬底C掺杂类型不同的轻掺杂非晶硅层P2的沉积和与衬底C掺杂类型不同的纳米晶硅P1层的沉积。