[发明专利]积层陶瓷基板的切断方法有效
| 申请号： | 201410158713.0 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104339461B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 武田真和;田村健太 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B28D5/04;B28D7/00;B28D7/04;C03B33/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种积层陶瓷基板的切断方法。本发明的切断方法是切断积层有玻璃层与陶瓷基板的积层陶瓷基板。在包含玻璃层(11)与陶瓷层(12)的积层陶瓷基板(10)的玻璃层(11)，沿预定切断线通过划线装置形成划线(S1)。其次在陶瓷层(12)沿预定切断线通过划线装置形成划线(S2)。然后自任一面沿划线(S1、S2)切断。如此一来将积层陶瓷基板(10)完全切断。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 切断 方法 | ||
【主权项】：
一种积层陶瓷基板的切断方法，所述积层陶瓷基板积层有具有100μm以上的膜厚的玻璃层、及具有100μm以上的膜厚的至少1层陶瓷层；且在所述积层陶瓷基板的一表面沿预定切断线形成第1划线，在所述积层陶瓷基板的另一表面沿预定切断线形成第2划线，沿所述第1或第2划线压抵切断杆而进行切断，由此沿划线将积层陶瓷基板切断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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