[发明专利]积层陶瓷基板的切断方法有效
申请号: | 201410158713.0 | 申请日: | 2014-04-18 |
公开(公告)号: | CN104339461B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 武田真和;田村健太 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B28D5/04;B28D7/00;B28D7/04;C03B33/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 切断 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种积层有玻璃层与陶瓷基板的积层陶瓷基板的切断方法。
背景技术
先前,在将在陶瓷基板上积层有金属层的积层陶瓷基板切断的情形时,多为使用切割锯等进行切断。此外,在专利文献1中提出一种玻璃陶瓷基板的切断方法,即在多次以轻负荷对玻璃陶瓷基板划线之后,将该玻璃陶瓷基板切断。
[先前技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2001-113521号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
在专利文献1中,多次对玻璃陶瓷基板划线,但并非为将积层有玻璃层与陶瓷层的积层陶瓷基板切断的方法。
虽针对积层有玻璃层与陶瓷层的积层陶瓷基板的开发不断向前推进,但其切断方法却并未确立。本发明的目的在于可将包含玻璃层的陶瓷基板完全切断而使之个体化。
[解决问题的技术手段]
为解决所述课题,本发明的积层陶瓷基板的切断方法是积层有具有100μm以上的膜厚的玻璃层、及具有100μm以上的膜厚的至少1层陶瓷层的积层陶瓷基板的切断方法;在所述积层陶瓷基板的一表面沿预定切断线形成第1划线,且在所述积层陶瓷基板的另一表面沿预定切断线形成第2划线,并沿所述第1或第2划线压抵切断杆进行切断,由此将积层陶瓷基板沿划线切断。
此处,所述积层陶瓷基板也可为在玻璃层的两表面积层有第1、第2陶瓷层者。
此处,所述玻璃层及陶瓷层也可为具有100μm~500μm的膜厚者。
[发明的效果]
根据具有所述特征的本发明,对积层有玻璃层与陶瓷层的积层陶瓷基板自两表面划线而进行切断。因此可获得如下效果,即,可将积层陶瓷基板完全切断为所期望的形状而使之个体化,且可使端面精度提高。
附图说明
图1(a)-图1(e)是表示本发明的第1实施方式的积层陶瓷基板的切断处理的图。
图2(a)-图2(e)是表示本发明的第2实施方式的积层陶瓷基板的切断处理的图。
图3(a)-图3(e)是表示本发明的第3实施方式的积层陶瓷基板的切断处理的图。
图4(a)-图4(e)是表示本发明的第4实施方式的积层陶瓷基板的切断处理的图。
具体实施方式
下面,对本发明的第1实施方式进行说明。图1(a)是表示积层有玻璃层11与陶瓷层12的,作为本实施方式的切断对象的积层陶瓷基板(以下,简称积层基板)10的图。玻璃层11的板厚为100μm以上,例如设为100~500μm。陶瓷层12的板厚为100μm以上,例如设为100~500μm。此处,关于陶瓷层12,也可为LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷)层、氧化铝(HTCC,High Temperature Co-fired Ceramic(高温共烧陶瓷))、氮化铝、钛酸钡、肥粒铁、氮化硅等陶瓷、即所谓的细陶瓷。
而且,在以特定的图案切断该积层基板10的情形时,首先如图1(b)所示股自玻璃层11沿预定切断的线,通过未图示的划线装置按压划线轮13并使之转动而形成第1划线S1。用于该划线的划线轮13,也可为普通的划线轮(在形成划线(划线)时的加工部位(刃尖)的最外周边部的棱线上未形成缺口或槽的普通的划线轮),但也可为在刃尖形成有缺口或槽的划线轮(日本专利文献3074143号、日本专利文献5022602号、日本专利文献5078354号、日本专利文献5055119号等)。一股而言,通过使用在刃尖形成有缺口或槽的划线轮,划线时的刃尖的切入性佳,此外,虽也取决于缺口或槽的形成间隔,但就缺口或槽的各者的最外周边方向的长度长于被缺口或槽遮断的棱线(突起)的各者的最外周边方向的长度的划线轮(P型刃尖),尤其是缺口或槽的深度超过5μm,尤其是超过10μm的P型刃尖而言,可形成高渗透的划线。另一方面,就缺口或槽的各者的最外周边方向的长度短于被缺口或槽遮断的棱线(突起)的各者的最外周边方向的长度的划线轮(A型刃尖),尤其是缺口或槽的深度为5μm以下,尤其是3μm以下的A型刃尖而言,虽有难以实现高渗透的倾向,但有切断后的基板端面的状态不易发生不良的倾向。此处,优选使用在刃尖形成有槽(缺口)的刀轮,虽也取决于基板的厚度,但在基板的厚度较薄的情形时(例如为500μm以下的情形时)优选A型刃尖,在基板的厚度较厚的情形时(例如超过500μm的情形时)优选P型刃尖。例如在日本专利文献3074143号中提出一种划线轮,其在圆周面上隔开特定间隔而形成有多个槽,且使该等槽之间为突起而实现高渗透。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造