[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201410157828.8 | 申请日: | 2014-04-18 |
公开(公告)号: | CN104112712B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供晶片的加工方法,能够容易地使切割带的背面实现平坦化,能够在晶片的内部沿着分割预定线形成期望的改性层。沿着对器件进行划分的多个分割预定线对在表面形成有多个器件的晶片进行分割的晶片的加工方法包括:晶片支承工序,在晶片的背面粘贴由合成树脂构成的切割带的正面,并且通过环状的框架支承切割带的外周部;切割带加热工序,对粘贴有晶片的切割带的背面进行加热而使切割带软化,从而使切割带的背面实现平坦化;以及改性层形成工序,从切割带的背面侧,透过切割带,以使对于晶片具有透射性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片内部的方式沿着分割预定线照射该激光光线,在晶片的内部沿着分割预定线形成改性层。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,沿着对器件进行划分的多个分割预定线对在表面形成有多个该器件的晶片进行分割,该加工方法的特征在于,包括:晶片支承工序,在晶片的背面粘贴由合成树脂构成的切割带的正面,并且通过环状的框架支承切割带的外周部;切割带加热工序,对粘贴有晶片的切割带的背面进行加热而使切割带软化,从而使切割带的背面实现平坦化;改性层形成工序,从实施了该切割带加热工序之后的切割带的背面侧,透过切割带,以使对于晶片具有透射性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片内部的方式沿着分割预定线照射该激光光线,在晶片的内部沿着分割预定线形成改性层;以及晶片分割工序,在实施了该改性层形成工序之后,通过使所述切割带扩张,对晶片施加外力并沿着形成有改性层的分割预定线将晶片分割为各个器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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