[发明专利]具有补偿区的半导体器件有效
| 申请号： | 201410149318.6 | 申请日： | 2014-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104103691B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 张凌苗,徐红燕 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了具有补偿区的半导体器件。一种半导体器件包括半导体基体，所述半导体基体包括内区和边缘区；在所述内区和边缘区中并且耦合到第一端子的第一掺杂类型的第一掺杂器件区；以及在所述内区中并耦合到第二端子的与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的至少一个第二掺杂器件区。此外，所述半导体器件包括所述边缘区中的少数载流子转换器结构。所述少数载流子转换器结构包括与第一掺杂器件区邻接的第二掺杂类型的第一阱区，以及将所述第一阱区电耦合到第一掺杂器件区的导体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 补偿 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体基体，其包括内区和边缘区；第一掺杂类型的第一掺杂器件区，其在所述内区和所述边缘区中并且耦合到第一端子；与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的至少一个第二掺杂器件区，其在所述内区中并耦合到第二端子；以及所述边缘区中的少数载流子转换器结构，所述少数载流子转换器结构包括与所述第一掺杂器件区邻接的所述第二掺杂类型的第一阱区，以及将所述第一阱区电耦合到所述第一掺杂器件区的导体，其中，所述少数载流子转换器结构还包括所述第一掺杂类型的并且比所述第一掺杂器件区更高掺杂的接触区，其中所述接触区连接到所述导体并且与所述第一掺杂器件区邻接。
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