[发明专利]带有不连续保护环的集成电路芯片在审
| 申请号： | 201410145462.2 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104112743A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李强;O·L·哈丁;S·贾拉勒戴恩;R·M·塞卡雷努;M·J·祖尼诺 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/58 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及带有不连续保护环的集成电路芯片。电子装置(10)包括半导体衬底(16)、被放置在所述半导体衬底（16）并由其支撑并且包括电感器(20)的电路块(12)以及围绕所述电路块(12)的不连续噪声隔离保护环(22)。所述不连续噪声隔离保护环(22)包括由所述半导体衬底(16)支撑的金属环(40)以及被放置在所述半导体衬底(16)中，具有掺杂浓度水平，并且电耦合于所述金属环(40)以抑制所述半导体衬底(16)中的噪声到达所述电路的环形区域(42)。所述金属环(40)具有第一间隙(44)以及所述环形区域(42)具有第二间隙(46)。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 连续 保护环 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
一种电子装置，包括：半导体衬底;被放置在所述半导体衬底中并由其支撑并且包括电感器的电路块;以及围绕所述电路块的不连续噪声隔离保护环，并且所述噪声隔离保护环包括：由所述半导体衬底支撑的金属环;以及被放置在所述半导体衬底中，有掺杂浓度水平，并且电耦合于所述金属环以抑制所述半导体衬底中的噪声到达所述电路块的环形区域;其中所述金属环具有第一间隙并且所述环形区域具有第二间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
