[发明专利]电子设备、固态成像装置及制造用于该设备的电极的方法有效
| 申请号： | 201410143904.X | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN104103760B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 森胁俊贵;宇高融 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44;H01L27/30 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了电子设备、固态成像装置及制造用于该设备的电极的方法。所述电子设备包括第一电极、第二电极和被夹持在所述第一电极和所述第二电极之间的光电变换层，所述第一电极包括非晶氧化物，所述非晶氧化物由铟、镓和/或铝、锌和氧的至少四元化合物构成，以及所述第二电极的功函数值与所述第一电极的功函数值之间的差为0.4eV以上。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 固态 成像 装置 制造 用于 设备 电极 方法 | ||
【主权项】：
一种电子设备，包括：第一电极、第二电极和光电变换层，所述光电变换层被夹持在所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电极包括非晶氧化物，所述非晶氧化物由铟、镓和/或铝、锌和氧的至少四元化合物构成，所述第一电极具有层压结构，所述层压结构包括从所述光电变换层侧起的第一B层和第一A层，以及所述第一电极的所述第一A层的功函数值低于所述第一电极的所述第一B层的功函数值。
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