[发明专利]电子设备、固态成像装置及制造用于该设备的电极的方法

权利要求书

1.一种电子设备，包括：

第一电极、第二电极和光电变换层，所述光电变换层被夹持在所述第一电极和所述第二电极之间，

所述第一电极包括非晶氧化物，所述非晶氧化物由铟、镓和/或铝、锌和氧的至少四元化合物构成，

所述第一电极具有层压结构，所述层压结构包括从所述光电变换层侧起的第一B层和第一A层，以及

所述第一电极的所述第一A层的功函数值低于所述第一电极的所述第一B层的功函数值。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一电极(21)的所述第一A层(21A)的所述功函数值与所述第一电极(21)的所述第一B层(21B)的所述功函数值之间的差为0.1eV到0.2eV。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，

所述第二电极的功函数值与所述第一电极的所述第一A层的功函数值之间的差为0.4eV以上。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，

所述第一电极具有1x10^-8m至1x10^-7m的厚度，以及

所述第一电极的所述第一A层的厚度与所述第一电极的所述第一B层的厚度之间的比率为9/1至1/9。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，

所述第二电极的功函数值与所述第一电极的功函数值之间的差被设定为0.4eV以上，以及

基于功函数值的所述差，在所述光电变换层中产生内部电场，以提高内部量子效率。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，

所述第一电极的所述功函数值为4.1eV至4.5eV。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其中，

所述第一电极由铟镓复合氧化物、掺杂铟的镓锌复合氧化物、掺杂氧化铝的氧化锌或者掺杂镓的氧化锌构成。

8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，

所述第二电极由铟锡复合氧化物、铟锌复合氧化物或氧化锡构成。

9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，

所述第一电极在400nm至660nm的波长下具有80％以上的透光率。

10.根据权利要求1所述的电子设备，其中，

所述第一电极具有3x10Ω/平方到1x10³Ω/平方的薄层电阻值。

11.根据权利要求1所述的电子设备，其中，

所述第一电极的氧含有率低于化学计量组成的氧含有率。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的电子设备，其中，所述电子设备为光电变换元件。

13.一种固态成像装置，包括：根据权利要求1至11中的任一项所述的电子设备。

14.一种制造用于电子设备的电极的方法，所述电子设备包括第一电极、第二电极和光电变换层，所述光电变换层被夹持在所述第一电极和所述第二电极之间，

所述第一电极包括非晶氧化物，所述非晶氧化物由铟、镓和/或铝、锌和氧的至少四元化合物构成，

所述第一电极具有层压结构，所述层压结构包括从所述光电变换层侧起的第一B层和第一A层，以及

所述第一电极的所述第一A层的功函数值低于所述第一电极的所述第一B层的功函数值，

当通过溅射法来形成所述第一电极时控制氧气导入量以控制所述第一电极的功函数值。

15.根据权利要求14所述的制造用于电子设备的电极的方法，其中，

其中，所述第一电极(21)的所述第一A层(21A)的所述功函数值与所述第一电极(21)的所述第一B层(21B)的所述功函数值之间的差为0.1eV到0.2eV。

16.根据权利要求14所述的制造用于电子设备的电极的方法，其中，

所述第二电极的功函数值与所述第一电极的所述第一A层的功函数值之间的差为0.4eV以上。