[发明专利]使用用于源极/漏极限域的间隔物的半导体器件的制作方法

摘要

一种制作半导体器件的方法，包括在第一半导体材料层上形成用于至少一个栅极堆叠的第一间隔物，以及与所述至少一个栅极相邻地形成用于源极和漏极区域中的每一个的相应第二间隔物。每个第二间隔物具有成对的相对的侧壁和与之耦合的端壁。该方法包括在第一间隔物和第二间隔物提供限域的同时，利用第二半导体材料填充源极和漏极区域。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：在第一半导体材料层上形成用于至少一个栅极堆叠的第一间隔物；在所述第一半导体材料层中并且与所述至少一个栅极堆叠相邻地形成用于源极区域和漏极区域中的每一个的相应第二间隔物，每个第二间隔物包括成对的相对侧壁和与之耦合的端壁；形成用于每对源极区域和漏极区域的至少一个鳍；刻蚀用于每对源极区域和漏极区域的所述至少一个鳍以形成源极凹陷和漏极凹陷；使所述源极凹陷和所述漏极凹陷成形以具有与所述至少一个栅极堆叠相邻的倾斜延伸；以及在所述第一间隔物和所述第二间隔物提供限域时，利用第二半导体材料填充所述源极区域和所述漏极区域。