[发明专利]使用用于源极/漏极限域的间隔物的半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410143386.1 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN104217960B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | N·劳贝特;P·莫林 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 用于 极限 间隔 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
在第一半导体材料层上形成用于至少一个栅极堆叠的第一间隔物；
在所述第一半导体材料层中并且与所述至少一个栅极堆叠相邻地形成用于源极区域和漏极区域中的每一个的相应第二间隔物，每个第二间隔物包括成对的相对侧壁和与之耦合的端壁；
形成用于每对源极区域和漏极区域的至少一个鳍；
刻蚀用于每对源极区域和漏极区域的所述至少一个鳍以形成源极凹陷和漏极凹陷；
使所述源极凹陷和所述漏极凹陷成形以具有与所述至少一个栅极堆叠相邻的倾斜延伸；以及
在所述第一间隔物和所述第二间隔物提供限域时，利用第二半导体材料填充所述源极区域和所述漏极区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在同一处理腔室中执行所述刻蚀和所述填充。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一间隔物和所述第二间隔物包括氮化物。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体材料和所述第二半导体材料是不同的半导体材料，使得应力赋予到所述至少一个栅极堆叠下方的沟道区域。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一半导体材料包括硅，并且所述第二半导体材料包括硅和锗。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体材料层包括绝缘体上硅(SOI)晶片。
7.一种制作半导体器件的方法，包括：
在第一半导体材料层上形成用于至少一个栅极堆叠的第一氮化物间隔物；
在所述第一半导体材料层中并且与所述至少一个栅极堆叠相邻地形成用于源极区域和漏极区域中的每一个的相应第二氮化物间隔物，每个第二氮化物间隔物包括成对的相对侧壁和与之耦合的端壁；
形成用于每对源极区域和漏极区域的至少一个鳍；
刻蚀用于每对源极区域和漏极区域的所述至少一个鳍以形成源极凹陷和漏极凹陷；
使所述源极凹陷和所述漏极凹陷成形以具有与所述至少一个栅极堆叠相邻的倾斜延伸；以及
在所述第一氮化物间隔物和所述第二氮化物间隔物提供限域时，利用第二半导体材料填充所述源极区域和所述漏极区域。
8.根据权利要求7所述的方法，其中在同一处理腔室中执行所述刻蚀和所述填充。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体公司，未经意法半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410143386.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
