[发明专利]一种改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法

摘要

本发明提供一种改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法，包括利用光学线宽测量仪测量并收取前批次晶圆上的接触孔线宽全映射数据以建立数据库；通过数据库将前批次晶圆中间的接触孔线宽全映射数据和边缘的接触孔线宽全映射数据的平均值与工艺要求的接触孔线宽相比，分别得到前批次晶圆中间和边缘的宽差；一APC系统根据前批次晶圆中间的宽差和边缘的宽差分别调整后批次晶圆中间和边缘的刻蚀气体流量；在接触孔刻蚀工艺步骤中通过APC系统实时修正后批次晶圆的刻蚀气体流量，以弥补前批次晶光刻差异对后批次晶圆的光刻影响，改进在接触孔刻蚀工艺步骤中晶圆中间和边缘的气体流量不变的弊端而精确掌握各部分的气体流量变化。

主权项

一种改进接触孔线宽均一性的刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤一，利用光学线宽测量仪测量并收取前批次晶圆上的中间部分的接触孔线宽全映射数据和边缘部分的接触孔线宽全映射数据以建立一数据库；步骤二，通过所述数据库将得到的前批次晶圆中间部分的接触孔线宽全映射数据的平均值和晶圆边缘部分的接触孔线宽全映射数据的平均值，与工艺要求的接触孔线宽相比，分别得到前批次晶圆中间部分的宽差和晶圆边缘部分的宽差；步骤三，一先进制程控制系统，根据前批次所述晶圆中间部分的宽差和晶圆边缘部分的宽差，以及根据刻蚀气体流量与接触孔线宽的线性关系，调整后批次每片晶圆中间部分和晶圆边缘部分的刻蚀气体流量；步骤四，在接触孔刻蚀工艺步骤中，通过所述先进制程控制系统实时修正后批次每片晶圆中间部分和晶片边缘部分的刻蚀气体流量，返回步骤一。