[发明专利]发光器件和制造发光器件的方法

摘要

根据本发明的发光器件包括第一导电半导体层；第一导电半导体层上的有源层；有源层上的第二导电半导体层；第一钝化层，该第一钝化层包围第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；第二连接层，该第二连接层通过第一钝化层而被电气地连接到第二导电半导体层；第二连接层和第一钝化层上的第一光提取结构层；第一电极层，该第一电极层被电气地连接到第一导电半导体层；以及第一光提取结构层上的第二电极层。

主权项

一种发光器件，包括：发光半导体层，所述发光半导体层包括，第一导电半导体层；有源层，所述有源层在所述第一导电半导体层上；以及第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述有源层上；第一电流扩展层，所述第一电流扩展层在所述第一导电半导体层上；第二电流扩展层，所述第二电流扩展层在所述第二导电半导体层上；第一钝化层，所述第一钝化层包围所述发光半导体层、以及所述第一和第二电流扩展层；多个导通孔，所述多个导通孔在所述第一钝化层中；第一连接层，所述第一连接层在所述第一电流扩展层上；多个第二连接层，所述多个第二连接层在所述第二电流扩展层上；第一光提取结构层，所述第一光提取结构层在所述第一钝化层和所述第二连接层上；第一电极层，所述第一电极层在所述第一连接层上；第二电极层，所述第二电极层在所述第一光提取结构层上；在所述发光半导体层的第一导电半导体层之下的生长衬底；以及所述生长衬底之下的具有凹凸结构的第二光提取结构层，其中，所述第一连接层和所述第二连接层形成在所述导通孔中。