[发明专利]晶体管的形成方法

摘要

本发明提供一种晶体管的形成方法，在晶体管的后栅工艺中，在源漏区上方的刻蚀阻挡层表面形成保护层，对刻蚀阻挡层进行刻蚀，减薄栅极结构上的刻蚀阻挡层，减薄栅极结构上的刻蚀阻挡层以后，栅极结构之间的间距增大，使得在栅极结构之间能够更容易地填充层间介质层。在减薄栅极结构上的刻蚀阻挡层的过程中，保护层起到保护源漏区上方的刻蚀阻挡层免受刻蚀影响的作用，使得在减薄栅极结构上的刻蚀阻挡层之后，源漏区上方的刻蚀阻挡层的厚度基本不发生变化，能够为源漏区提供有效的保护。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构露出的衬底中形成源漏区；在所述栅极结构以及源漏区表面覆盖刻蚀阻挡层；在所述源漏区上方的刻蚀阻挡层表面形成保护层；对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，减薄栅极结构上的刻蚀阻挡层；去除所述保护层；在刻蚀后的刻蚀阻挡层上形成层间介质层。