[发明专利]互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410135922.3 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104979272B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种互连结构及其形成方法。其中，所述互连结构的形成方法包括提供基底；在所述基底上形成超低K介质层；在所述超低K介质层上形成致密介质层；在所述致密介质层上形成掩膜层；从上到下依次蚀刻所述掩膜层、致密介质层和超低K介质层直至形成通孔；采用导电材料填充满所述通孔形成导电插塞。所述形成方法提高最终形成的互连结构的质量和可靠性，并且所述形成方法工艺过程简单，节省工艺步骤，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成超低K介质层；在所述超低K介质层上形成致密介质层；在所述致密介质层上形成掩膜层；从上到下依次蚀刻所述掩膜层、致密介质层和超低K介质层直至形成通孔；采用导电材料填充满所述通孔形成导电插塞；所述超低K介质层的形成材料包括第一材料和第二材料，所述第一材料用作形成所述超低K介质层的基材，所述第二材料用于使所述超低K介质层内部产生孔洞；在形成所述超低K介质层后，沿用形成所述超低K介质层的工艺条件，并通过仅减小所述第二材料的流量形成所述致密介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410135922.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种切向进料螺纹管缠绕式换热器
- 下一篇：一种烟气冷却装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
