[发明专利]一种L-半胱氨酸/巯基丙酸修饰的CdTe量子点的制备方法

摘要

本发明涉及一种L-半胱氨酸/巯基丙酸修饰的CdTe量子点的制备方法，包括：选用氯化镉CdCl₂·2.5H₂O作为镉源，碲氢化钠NaHTe作为碲源，L-半胱氨酸（L-Cys）/巯基丙酸（MPA）作为混合稳定剂，通过加热回流的方法在水相中制备CdTe量子点。本发明制备得到的CdTe量子点粒径均一，且具有良好的分散性和稳定性，通过调整两者之间的比例可以同时调控量子点的生长速率和粒径大小，并且还可以提高荧光量子产率和荧光稳定性；量子点其表面的氨基和羧基使其易于连接生物大分子，具有良好的生物相容性。

主权项

一种L‑半胱氨酸/巯基丙酸修饰的CdTe量子点的制备方法，包括：（1）将NaBH₄和碲粉Te置于双蒸水中，氮气保护下在55‑65℃下搅拌反应15‑30min,将得到的紫红色溶液过滤后得到NaHTe溶液；（2）配制L‑半胱氨酸L‑Cys/巯基丙酸MPA修饰的Cd²⁺前驱液；其中，Cd²⁺浓度为1.25‑2.5mmol/L，L‑Cys浓度为0.5‑2.5mmol/L，MPA浓度为0.5‑2.5mmol/L，并调节溶液pH为8.5‑11.5；（3）将步骤（2）中的Cd²⁺前驱液搅拌下通氮气除氧后与步骤（1）的NaHTe溶液混合，然后升温到90～100℃进行回流30‑180min，得到水溶性的CdTe量子点。