[发明专利]集成电路电气保护装置有效
| 申请号： | 201410117590.6 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104952866B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | M·A·斯托金戈;张文忠;张旭 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路电气保护装置包括半导体衬底和划分为区段（231‑234）的多个晶体管指状物（240）。区段（231‑234）在由相邻的区段共享的源极/漏极区域（252）内由彼此（231‑234）间隔开的连阱（221）彼此区分。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 电气 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置，包括：场效应晶体管FET，包括第一和第二晶体管指状物，其中第一和第二晶体管指状物共享存在于具有第二导电类型的阱区中的第一导电类型的第一源极/漏极区域，其中第一导电类型与第二导电类型相反；以及在第一源极/漏极区域的第一部分和第一源极/漏极区域的第二部分之间的第一连阱，该第一连阱耦接到在集成电路的正常操作期间为阱区提供固定偏置电压的电压参考端子(GND)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司，未经恩智浦美国有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410117590.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种单芯片集成电路
- 下一篇：LED灯丝及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
