[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201410116298.2 | 申请日： | 2007-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103928580B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 曹贤敬;金鲜京;张峻豪 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 周燕,夏凯 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种能够实现发射效率的增强和可靠性的增强的氮化物基发光器件。该发光器件包括半导体层，和布置在该半导体层上，并且由具有等于或者高于该半导体层的折射率的折射率的材料制成的光提取层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：反射性电极；半导体层，所述半导体层在所述反射性电极上，所述半导体层包括布置在所述反射性电极上的p型半导体层、布置在所述p型半导体层上的发光层以及布置在所述发光层上的n型半导体层；以及光子晶体，所述光子晶体布置在所述半导体层上，其中，在所述发光层的中心和所述反射性电极之间的距离(d)是在由0.65λ/n至0.85λ/n所代表的范围之内，或者是λ/(4n)的奇数倍，其中，λ代表从所述发光层发射的光的波长，而n代表所述半导体层的折射率。
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