[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

反射性电极；

半导体层，所述半导体层在所述反射性电极上，所述半导体层包括布置在所述反射性电极上的p型半导体层、布置在所述p型半导体层上的发光层以及布置在所述发光层上的n型半导体层；以及

光子晶体，所述光子晶体布置在所述半导体层上，

其中，在所述发光层的中心和所述反射性电极之间的距离（d）是在由0.65λ/n至0.85λ/n所代表的范围之内，或者是λ/(4n)的奇数倍，其中，λ代表从所述发光层发射的光的波长，而n代表所述半导体层的折射率。

2.如权利要求1所述的发光器件，其中，在所述发光层的中心和所述反射性电极之间的距离是在(2m+1)λ/(4n)-0.1λ/n和(2m+1)λ/(4n)+0.1λ/n之间的范围内。

3.如权利要求1所述的发光器件，进一步包括：

欧姆电极，所述欧姆电极布置在所述反射性电极和所述p型半导体层之间。

4.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述反射性电极包括欧姆电极。

5.如权利要求3或4所述的发光器件，其中，所述欧姆电极包括透明电极。

6.如权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中，所述发光层具有0.05λ/n至0.25λ/n的厚度。

7.如权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中，所述反射性电极具有50%或更大的反射率。

8.如权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中，所述光子晶体通过蚀刻被形成，并且具有在λ/n和更大之间的范围内的深度。

9.如权利要求8所述的发光器件，其中，所述光子晶体包括在所述半导体层上形成的孔或者棒。

10.如权利要求9所述的发光器件，其中，所述孔具有300nm到3000nm的深度，并且所述棒具有300nm到3000nm的高度。

11.如权利要求9所述的发光器件，其中，所述孔或者棒具有0.25a到0.45a的直径，其中“a”代表所述光子晶体的周期。

12.如权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中，所述光子晶体具有0.8μm到5μm的周期。

13.如权利要求1至4中任一项所述的发光器件，进一步包括支撑层，所述反射性电极位于所述支撑层上。

14.如权利要求13所述的发光器件，其中，所述支撑层包括半导体或者金属。

15.如权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中，所述光子晶体包括与所述半导体层的材料相同的材料。

16.如权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中，所述p型半导体层具有100nm到300nm的厚度。

17.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述距离是在由λ/(4n)的奇数倍±λ/(8n)所代表的范围之内。

18.如权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中，所述光子晶体具有两个或更多个混合周期使得所述光子晶体具有随机结构。

19.如权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中，所述光子晶体与所述半导体层一体地形成。

20.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述光子晶体具有等于或高于所述半导体层的折射率的折射率。

21.如权利要求20所述的发光器件，其中，所述光子晶体包括氧化物或者氮化物。