[发明专利]涂层的形成方法有效
申请号: | 201410114618.0 | 申请日: | 2014-03-25 |
公开(公告)号: | CN104952704B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 章国伟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/16 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种涂层的形成方法,包括提供半导体衬底,向半导体衬底表面喷洒涂层材料,所述涂层材料具有第一流动性;采用第一速率旋转半导体衬底进行第一旋涂工艺,使涂层材料覆盖于半导体衬底表面;对半导体衬底进行第一烘烤处理,形成第一材料层以及第二材料层,第一材料层的材料具有第二流动性,且第二流动性小于第一流动性;采用第二速率旋转半导体衬底进行第二旋涂工艺,使第二材料层的材料在第一材料层表面流动,形成具有均匀厚度的第三材料层;对半导体衬底进行第二烘烤处理,形成位于半导体衬底表面的涂层。本发明形成厚度均匀且固化的第一材料层后,进行第二旋涂工艺形成具有均匀厚度的第三材料层,提高形成的涂层的厚度均匀性。 | ||
搜索关键词: | 涂层 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种涂层的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,向所述半导体衬底表面喷洒涂层材料,所述涂层材料具有第一流动性;采用第一速率旋转所述半导体衬底进行第一旋涂工艺,使涂层材料覆盖于半导体衬底表面;对所述覆盖于半导体衬底表面的涂层材料进行第一烘烤处理,在半导体衬底表面依次形成第一材料层以及第二材料层,其中,第一材料层的材料具有第二流动性,且所述第二流动性小于第一流动性,第二材料层的材料具有第三流动性,且所述第三流动性大于第二流动性、小于或等于第一流动性;采用第二速率旋转所述半导体衬底进行第二旋涂工艺,使具有第三流动性的第二材料层的材料在第一材料层表面流动,直至形成具有均匀厚度的第三材料层;对所述第一材料层和第三材料层进行第二烘烤处理,形成位于半导体衬底表面的涂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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