[发明专利]涂层的形成方法有效

专利信息
申请号: 201410114618.0 申请日: 2014-03-25
公开(公告)号: CN104952704B 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 章国伟 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G03F7/16
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种涂层的形成方法,包括提供半导体衬底,向半导体衬底表面喷洒涂层材料,所述涂层材料具有第一流动性;采用第一速率旋转半导体衬底进行第一旋涂工艺,使涂层材料覆盖于半导体衬底表面;对半导体衬底进行第一烘烤处理,形成第一材料层以及第二材料层,第一材料层的材料具有第二流动性,且第二流动性小于第一流动性;采用第二速率旋转半导体衬底进行第二旋涂工艺,使第二材料层的材料在第一材料层表面流动,形成具有均匀厚度的第三材料层;对半导体衬底进行第二烘烤处理,形成位于半导体衬底表面的涂层。本发明形成厚度均匀且固化的第一材料层后,进行第二旋涂工艺形成具有均匀厚度的第三材料层,提高形成的涂层的厚度均匀性。
搜索关键词: 涂层 形成 方法
【主权项】:
一种涂层的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,向所述半导体衬底表面喷洒涂层材料,所述涂层材料具有第一流动性;采用第一速率旋转所述半导体衬底进行第一旋涂工艺,使涂层材料覆盖于半导体衬底表面;对所述覆盖于半导体衬底表面的涂层材料进行第一烘烤处理,在半导体衬底表面依次形成第一材料层以及第二材料层,其中,第一材料层的材料具有第二流动性,且所述第二流动性小于第一流动性,第二材料层的材料具有第三流动性,且所述第三流动性大于第二流动性、小于或等于第一流动性;采用第二速率旋转所述半导体衬底进行第二旋涂工艺,使具有第三流动性的第二材料层的材料在第一材料层表面流动,直至形成具有均匀厚度的第三材料层;对所述第一材料层和第三材料层进行第二烘烤处理,形成位于半导体衬底表面的涂层。
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