[发明专利]涂层的形成方法有效
| 申请号： | 201410114618.0 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104952704B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 章国伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 涂层 形成 方法 | ||
1.一种涂层的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，向所述半导体衬底表面喷洒涂层材料，所述涂层材料具有第一流动性；
采用第一速率旋转所述半导体衬底进行第一旋涂工艺，使涂层材料覆盖于半导体衬底表面；
对所述覆盖于半导体衬底表面的涂层材料进行第一烘烤处理，在半导体衬底表面依次形成第一材料层以及第二材料层，其中，第一材料层的材料具有第二流动性，且所述第二流动性小于第一流动性，第二材料层的材料具有第三流动性，且所述第三流动性大于第二流动性、小于或等于第一流动性；
采用第二速率旋转所述半导体衬底进行第二旋涂工艺，使具有第三流动性的第二材料层的材料在第一材料层表面流动，直至形成具有均匀厚度的第三材料层；
对所述第一材料层和第三材料层进行第二烘烤处理，形成位于半导体衬底表面的涂层。
2.根据权利要求1所述涂层的形成方法，其特征在于，在所述第一旋涂工艺之后，对所述半导体衬底进行第一烘烤处理。
3.根据权利要求1所述涂层的形成方法，其特征在于，在所述第一旋涂工艺之后第二烘烤处理之前，重复进行若干次第一烘烤处理，且在每次第一烘烤处理后进行第二涂布工艺，在第二烘烤处理之前形成具有均匀厚度的第三材料层。
4.根据权利要求3所述涂层的形成方法，其特征在于，在所述第一旋涂工艺之后第二烘烤处理之前，重复进行3次第一烘烤处理的步骤包括：
对半导体衬底进行第一次第一烘烤处理，在半导体衬底表面依次形成第二材料层和第四材料层；
对所述半导体衬底进行第一次第二旋涂工艺，将第四材料层转化为第五材料层；
对半导体衬底进行第二次第一烘烤处理，使第二材料层的厚度增加转化为第六材料层，第五材料层的厚度减小转化为第七材料层；
对半导体衬底进行第二次第二旋涂工艺，将第七材料层转化为第八材料层；
对半导体衬底进行第三次第一烘烤处理，使第六材料层厚度增加转化为第一材料层，第八材料层厚度减小转化为第九材料层；
对所述半导体衬底进行第三次第二旋涂工艺，将第九材料层转化为具有均匀厚度的第三材料层。
5.根据权利要求4所述涂层的形成方法，其特征在于，所述第二次第二旋涂工艺的旋涂速率大于第一次第二旋涂工艺的旋涂速率，所述第三次第二旋涂工艺的旋涂速率大于第二次第二旋涂工艺的旋涂速率。
6.根据权利要求2或3所述涂层的形成方法，其特征在于，所述第一烘烤处理为快速烘烤。
7.根据权利要求6所述涂层的形成方法，其特征在于，所述快速烘烤的工艺参数为：烘烤温度为90℃至200℃，烘烤时长为1S至300S。
8.根据权利要求1所述涂层的形成方法，其特征在于，同时进行所述第一旋涂工艺和第一烘烤处理。
9.根据权利要求8所述涂层的形成方法，其特征在于，所述第一烘烤处理的工艺参数为：烘烤温度为90℃至200℃，烘烤时长为1S至300S。
10.根据权利要求1所述涂层的形成方法，其特征在于，所述第二速率大于第一速率。
11.根据权利要求10所述涂层的形成方法，其特征在于，所述第一速率为400转/分至1000转/分，所述第二速率为1000转/分至2000转/分。
12.根据权利要求1所述涂层的形成方法，其特征在于，所述涂层的材料为光刻胶。
13.根据权利要求12所述涂层的形成方法，其特征在于，所述光刻胶为聚酰亚胺；所述涂层的厚度为50μm至5000μm。
14.根据权利要求1所述涂层的形成方法，其特征在于，所述涂层材料位于半导体衬底表面的中央区域。
15.根据权利要求1所述涂层的形成方法，其特征在于，所述第二烘烤处理的工艺参数为：烘烤温度为100度至400度，烘烤时长为100S至1000S。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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