[发明专利]对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法有效
| 申请号： | 201410106540.8 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887198A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 何理;许向辉;郭贤权;陈超 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法，半导体领域。该方法为：根据器件线宽获得待扫描的存储区域的单位存储单元的宽度；根据所述单位存储单元的宽度对所述存储区域进行划分；根据所述单位存储单元的宽度采用相邻单位存储单元对比扫描方式对划分后的所述存储区域进行扫描，获得所述存储区域的缺陷。本发明通过根据器件线宽获得待扫描的存储区域的单位存储单元的宽度，对存储区域进行划分，再采用相邻单位存储单元对比扫描方式进行扫描，实现了对没有分界的存储区域进行缺陷精确扫描的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 没有 重复 分界 存储 区域 进行 扫描 方法 | ||
【主权项】：
对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1.根据器件线宽获得待扫描的存储区域的单位存储单元的宽度；步骤2.根据所述单位存储单元的宽度对所述存储区域进行划分；步骤3.根据所述单位存储单元的宽度采用相邻单位存储单元对比扫描方式对划分后的所述存储区域进行扫描，获得所述存储区域的缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
