[发明专利]一种在金属泡沫镍表面生长六边形Co(OH)2的方法无效
| 申请号： | 201410104991.8 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103887082A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈海锋;唐培松;潘国祥;曹枫;王坤燕;张玉建 | 申请（专利权）人： | 湖州师范学院 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 313000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在金属泡沫镍表面生长六边形Co(OH)2的方法，该方法首先由可溶性钴盐和氟化铵制备钴源母液，然后调节该母液的pH值至9-12；然后将pH值调节后的溶液转移到水热反应釜中，加入作为基体的金属泡沫镍，110-180摄氏度下水热反应1-24小时，经去离子水和乙醇反复地进行冲洗、干燥1-4小时，即可得到在金属泡沫镍表面生长六边形氢氧化钴片，其厚度3-10um，边长为10-20um。该方法充分利用泡沫镍的结构优势，金属镍的导电能力，在其表面生长了六边形氢氧化钴，此结构拥有快速的离子和电荷传输能力，有利于提高充放电性能；同时所有的六边形氢氧化钴晶体均生长于金属镍上，起到了固定氢氧化钴的作用，制备出来的材料可以直接作为超级电容的电极材料进行使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 泡沫 表面 生长 六边形 co oh sub 方法 | ||
【主权项】：
一种在金属泡沫镍表面生长六边形Co(OH)2的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)由可溶性钴盐和氯化铵制备钴源母液；(2)调节该母液的pH值至9‑12；(3)将pH值调节后的溶液转移到水热反应釜中，加入作为基体的金属泡沫镍；(4)在110‑180℃的水热条件下进行反应1‑24小时；(5)经洗涤、干燥，即可得到在金属泡沫镍表面生长六边形氢氧化钴片。
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