[发明专利]一种刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410104938.8 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103903977A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 黄海;洪齐元 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种刻蚀方法，包括以下步骤，步骤一：将芯片固定并浸入用于刻蚀的溶液中；步骤二：在浸入芯片的所述溶液中施加静电场；步骤三：所述溶液中的离子在所述静电场的作用下定向移向所述晶片，并对所述晶片表面进行刻蚀。在刻蚀溶液中加入静电场，刻蚀溶液中的离子会选择性的定向移向晶片，对晶片表面进行刻蚀，刻蚀溶液刻蚀晶片呈现出非等向性，保证了线宽的不同和刻蚀均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤一：将芯片固定并浸入用于刻蚀的溶液中；步骤二：在浸入芯片的所述溶液中施加静电场；步骤三：所述溶液中的离子在所述静电场的作用下定向移向所述晶片，并对所述晶片表面进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
