[发明专利]一种表面等离激元增强的超导单光子探测器及其制备方法有效
申请号: | 201410101842.6 | 申请日: | 2014-03-19 |
公开(公告)号: | CN103872155A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 金飚兵;郏涛;康琳;吴培亨 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/18;G01J1/42 |
代理公司: | 江苏银创律师事务所 32242 | 代理人: | 孙计良 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种表面等离激元增强的超导单光子探测器及其制备方法。该超导单光子探测器在基于氮化铌的超导单光子探测器的纳米线区表面布置有金纳米颗粒。其制备方法包括将含有十二烷基硫醇-金纳米颗粒的溶液滴入装有水的聚四氟乙烯容器里面;待溶剂蒸发后,在水和空气的界面形成单层的金纳米颗粒层;用聚二甲基硅氧烷蘸取单层的金纳米颗粒层;将聚二甲基硅氧烷上的单层的金纳米颗粒层转贴至基于氮化铌的超导单光子探测器的纳米线性区。相比传统的基于氮化铌的超导单光子探测器,本发明的探测器对400-1000nm波段的可见光到近红外的光子探测效率有提升,特别是对750nm的光子探测效率提升超过10倍。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 离激元 增强 超导 光子 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种表面等离激元增强的超导单光子探测器,其特征在于,在基于氮化铌的超导单光子探测器的纳米线区表面布置有金纳米颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的