[发明专利]二氧化硅的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410101007.2 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104925739B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李成强 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的二氧化硅的刻蚀方法，其包括以下步骤向反应腔室内通入刻蚀气体和辅助气体，并开启激励电源和偏压电源，以对二氧化硅进行刻蚀；其中，刻蚀气体包括碳氟类气体或者碳氟氢类气体或者两种气体的组合；辅助气体包括氢气和氩气；反应腔室的腔室压力和偏压电源的偏压功率的设置方式为通过提高腔室压力，以增大刻蚀气体的等离子体密度，同时降低偏压功率，以提高刻蚀选择比，可以获得侧壁垂直的刻蚀形貌。本发明提供的二氧化硅的刻蚀方法，其可以在保证二氧化硅表面和侧壁形貌的前提下，获得侧壁垂直的刻蚀形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化硅的刻蚀方法，其特征在于，其包括以下步骤：向反应腔室内通入刻蚀气体和辅助气体，并开启激励电源和偏压电源，以对二氧化硅进行刻蚀；其中，所述刻蚀气体包括碳氟类气体或者碳氟氢类气体或者两种气体的组合；所述辅助气体包括氢气和氩气；所述辅助气体中的氢气与所述刻蚀气体产生碳氢氟类聚合物，并沉积在掩膜和沟槽侧壁，以提高所述沟槽侧壁的垂直度；所述反应腔室的腔室压力和所述偏压电源的偏压功率的设置方式为：通过提高所述腔室压力，同时降低所述偏压功率，而获得侧壁垂直的刻蚀形貌。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410101007.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：传感器芯片的空腔形成方法、制造方法、芯片及电子设备
- 下一篇：一种自动开瓶器
