[发明专利]二氧化硅的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410101007.2 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104925739B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李成强 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 刻蚀 方法 | ||
1.一种二氧化硅的刻蚀方法，其特征在于，其包括以下步骤：
向反应腔室内通入刻蚀气体和辅助气体，并开启激励电源和偏压电源，以对二氧化硅进行刻蚀；其中，
所述刻蚀气体包括碳氟类气体或者碳氟氢类气体或者两种气体的组合；所述辅助气体包括氢气和氩气；
所述辅助气体中的氢气与所述刻蚀气体产生碳氢氟类聚合物，并沉积在掩膜和沟槽侧壁，以提高所述沟槽侧壁的垂直度；
所述反应腔室的腔室压力和所述偏压电源的偏压功率的设置方式为：通过提高所述腔室压力，同时降低所述偏压功率，而获得侧壁垂直的刻蚀形貌。
2.根据权利要求1所述的二氧化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述激励电源的激励功率的设置方式为：通过提高所述激励功率，而提高刻蚀速率。
3.根据权利要求1所述的二氧化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述氢气和氩气的混合比例为2～10。
4.根据权利要求1所述的二氧化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟类气体包括C4F8或者C5F8或者二者的混合气体。
5.根据权利要求1所述的二氧化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述碳氟氢类气体包括CHF3或者CH2F2或者二者的混合气体。
6.根据权利要求1所述的二氧化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述腔室压力的取值范围在6～20mT。
7.根据权利要求6所述的二氧化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述腔室压力的取值范围在7～10mT。
8.根据权利要求1所述的二氧化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述偏压功率的取值范围在300～1000W。
9.根据权利要求8所述的二氧化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述偏压功率的取值范围在400～700W。
10.根据权利要求2所述的二氧化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述激励功率的取值范围在1500～3000W。
11.根据权利要求10所述的二氧化硅的刻蚀方法，其特征在于，所述激励功率的取值范围在1700～2500W。
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