[发明专利]减少串扰的装置有效
申请号: | 201410092441.9 | 申请日: | 2014-03-13 |
公开(公告)号: | CN104052445B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 马旦·维穆拉;詹姆士·卡拉维拉;詹姆斯·斯佩哈;格里特·W·德恩贝斯特恩 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H03K17/16 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及在开关电路中减小串扰。根据本发明的一个或多个实施方式,一种装置包括多引脚连接器,多引脚连接器包括与该装置之外的设备通信的信号承载电极,以及相应的耦合信号承载电极到装置内相应的通信信道的场效应开关。开关包括第一场效应半导体开关,其包括邻近沟道区域的栅电极,当施加阈值开关电压到栅上时,沟道区域连接电极(如源区和漏区),电极连接于信号承载电极中的一个和第一信道之间,第一信道耦合到静电放电(ESD)电路。偏置电路通过偏置第一场效应半导体开关(处于关断状态)以提升阈值开关电压至超过ESD电路的阈值放电电压,来减小通信信道之间的串扰。 | ||
搜索关键词: | 减少 装置 | ||
【主权项】:
一种减少串扰的装置,其特征在于,包括:多引脚连接器,包括至少第一信号承载电极和第二信号承载电极,第一信号承载电极和第二信号承载电极配置为与所述装置外部的设备通信;第一场效应半导体开关,包括栅电极,栅电极邻近沟道区域,沟道区域配置为响应于施加在栅电极上的阈值开关电压而连接第一电极和第二电极;第一电极和第二电极连接在第一信号承载电极和第一信道之间;第二场效应半导体开关,连接于第二信号承载电极和第一信道之间;静电放电(ESD)电路,包括二极管,二极管连接第一信道和参考电压,静电放电电路配置为响应于第一信道上的阈值放电电压而切换为导通状态导致二极管分流电流;以及偏置电路,配置为当第一场效应半导体开关处于关断状态时,通过偏置沟道区域及提升阈值开关电压至高于静电放电的阈值放电电压的水平来减少第一信号承载电极和第二信号承载电极之间的串扰,其中所述偏置减少了所述信号承载电极之间通过第一场效应半导体开关的信号传递。
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