[发明专利]用于集成电压调节器的磁芯感应器(MCI)结构有效
申请号: | 201410089273.8 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN104051459B | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | A.A.埃尔谢比尼;K.P.奥布里恩;H.布劳尼施;K.巴拉思 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 林毅斌;汤春龙 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了包括用于集成电压调节器的磁芯感应器(MCI)结构的半导体封装。在示例中,半导体封装包括封装衬底和耦合到该封装衬底第一表面的半导体裸晶。该半导体裸晶在其上具有第一多金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器层。该半导体封装还包括耦合到该封装衬底第二表面的磁芯感应器(MCI)裸晶。该MCI裸晶包括一个或多个切槽感应器,且其上具有第二多MIM电容器层。 | ||
搜索关键词: | 用于 集成 电压 调节器 感应器 mci 结构 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装,所述半导体封装包括:封装衬底;半导体裸晶,所述半导体裸晶耦合到所述封装衬底的第一表面,且其上具有第一多金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器层;以及磁芯感应器(MCI)裸晶,所述MCI裸晶耦合到所述封装衬底的第二表面,包括一个或多个切槽感应器,且其上具有第二多MIM电容器层,其中所述MCI裸晶的所述一个或多个切槽感应器中的每个包括多个磁层,并且对所述多个磁层中的一个或多个磁层进行切槽以减小实现特定波纹电压和稳定补偿器所需的MIM电容器电容值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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