[发明专利]用于自对准双图案化的任意金属间隔的系统和方法有效
| 申请号： | 201410083387.1 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN104050311B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 田丽钧;吴真智;陈国基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路包括：被配置成具有第一电势的器件的第一导电结构；被配置成具有不同于第一电势的第二电势的器件的第二导电结构；以及设置在第一导电结构和第二导电结构之间的且将第一导电结构和第二导电结构间隔开的维和结构。维和结构与第一导电结构和第二导电结构中的至少一个间隔开在用于形成集成电路的自对准双图案化（“SADP”）工艺的导线之间的固定间隔距离。本发明还提供了用于自对准双图案化的任意金属间隔的系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 导电结构 图案化 自对准 电势 金属间隔 集成电路 固定间隔距离 配置 | ||
【主权项】：
1.一种用于自对准双图案化的任意金属间隔的方法，包括：确定具有第一布局的电路的响应，所述第一布局包括设置在第一导电结构和第二导电结构之间的第一维和结构，所述第一导电结构的第一电压电平大于所述第二导电结构的第二电压电平；确定包括所述第一导电结构和所述第二导电结构的器件的击穿电压；以及如果所述器件的击穿电压高于阈值电压，则将所述电路的设计存储在计算机可读存储介质中；如果所述器件的击穿电压低于所述阈值，则在所述电路的第一布局的所述第一导电结构和所述第二导电结构之间插入一个或多个附加维和结构以创建所述电路的第二布局；其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构被设置成彼此之间的距离大于或者等于所述第一维和结构的宽度与两倍的固定间隔距离之和，所述固定间隔距离是在用于制造所述电路的自对准双图案化(“SADP”)工艺中的导线之间的距离。
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