[发明专利]LED结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201410083089.2 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104900775A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张旺 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED结构及其形成方法。其中该LED结构包括：衬底；位于衬底之上的第一掺杂类型氮化物半导体层，第一掺杂类型为N型和P型中的一种；位于第一掺杂类型氮化物半导体层之上的多量子阱发光层；位于多量子阱发光层之上的第二掺杂类型氮化物半导体层，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；与N型氮化物半导体层相连的N电极；与P型氮化物半导体层相连的P电极；位于P型氮化物半导体层和P电极之间的电流扩散层；以及位于N型氮化物半导体层之中的极化插入层，其中，极化插入层与N型氮化物半导体层具有晶格失配。本发明的LED结构及其形成方法，利用极化插入层降低了N型氮化物半导体层的电阻率，最终使发光效率得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | led 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种LED结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底之上的第一掺杂类型氮化物半导体层，所述第一掺杂类型为N型和P型中的一种；位于所述第一掺杂类型氮化物半导体层之上的多量子阱发光层；位于所述多量子阱发光层之上的第二掺杂类型氮化物半导体层，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；与N型氮化物半导体层相连的N电极；与P型氮化物半导体层相连的P电极；位于所述P型氮化物半导体层和所述P电极之间的电流扩散层；以及位于所述N型氮化物半导体层之中的极化插入层，其中，所述极化插入层与所述N型氮化物半导体层具有晶格失配。
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