[发明专利]用于静态随机存储器的存储单元和静态随机存储器有效
| 申请号： | 201410083038.X | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN104900258B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 仲纪者;张传宝;张斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于静态随机存储器的存储单元和静态随机存储器，在本发明提供的用于静态随机存储器的存储单元和静态随机存储器中，通过采用4个NMOS晶体管和3个PMOS晶体管，使得读取操作和写入操作实现相互独立，增大了读取和写入的冗余度，能够避免读取干扰现象的发生，从而提高静态随机存储器读取状态的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静态 随机 存储器 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种用于静态随机存储器的存储单元，其特征在于，包括：第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管；所述第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管组成第一反相器；所述第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管组成第二反相器，所述第一反相器和第二反相器交叉耦合形成双稳态触发器；其中，所述第三NMOS晶体管和第三PMOS晶体管均与所述第一反相器的输出端连接，并且，所述第三NMOS晶体管连接至一写入位线，所述第三PMOS晶体管连接至一读取位线。
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