[发明专利]用于静态随机存储器的存储单元和静态随机存储器

权利要求书

1.一种用于静态随机存储器的存储单元，其特征在于，包括：第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管；

所述第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管组成第一反相器；所述第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管组成第二反相器，所述第一反相器和第二反相器交叉耦合形成双稳态触发器；

其中，所述第三NMOS晶体管和第三PMOS晶体管均与所述第一反相器的输出端连接，并且，所述第三NMOS晶体管连接至一写入位线，所述第三PMOS晶体管连接至一读取位线。

2.如权利要求1所述的用于静态随机存储器的存储单元，其特征在于，所述第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管均为N型薄膜场效应晶体管；所述第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管均为P型薄膜场效应晶体管。

3.如权利要求2所述的用于静态随机存储器的存储单元，其特征在于，还包括第一字线、第二字线；

所述第三NMOS晶体管的栅极与第一字线连接，第四NMOS晶体管的栅极与第二字线连接，所述第一字线上的逻辑信号和第二字线上的逻辑信号相反；所述第三NMOS晶体管的源极和第四NMOS晶体管的源极均与写入位线连接，

所述第三PMOS晶体管的源极与读取位线连接，所述第三PMOS晶体管的漏极与低电平连接。

4.如权利要求3所述的用于静态随机存储器的存储单元，其特征在于，所述第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极均与高电平连接，所述第一NMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的源极均与所述低电平连接。

5.如权利要求3所述的用于静态随机存储器的存储单元，其特征在于，在写入时，单独通过所述写入位线写入信息。

6.如权利要求3所述的用于静态随机存储器的存储单元，其特征在于，在读取时，单独通过所述读取位线读取信息。

7.一种静态随机存储器，其特征在于，包括如权利要求1至6中任一项所述的用于静态随机存储器的存储单元。