[发明专利]电感的形成方法有效
| 申请号： | 201410080810.2 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103811308A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电感的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底第一区域内形成有焊垫，第二区域内形成有与焊垫齐平的电感金属层，焊垫和电感金属层被介质层覆盖并包围；在衬底表面形成钝化层；在钝化层表面形成掩膜层，掩膜层具有第一开口和第二开口；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀钝化层、介质层，暴露出部分焊垫表面及部分电感金属层表面；去除所述掩膜层，以所述钝化层为掩膜刻蚀焊垫以及电感金属层，在所述焊垫内形成第一凹槽，同时在电感金属层内形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于焊垫的厚度，第二凹槽的深度小于电感金属层的厚度。上述方法可以提高电感的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电感的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域内形成有焊垫，所述第二区域内形成有与焊垫齐平的电感金属层、所述焊垫和电感金属层被介质层覆盖并包围；在所述衬底表面形成钝化层；在所述钝化层表面形成掩膜层，所述掩膜层具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出焊垫上方的部分钝化层表面，所述第二开口暴露出电感金属层上方的部分钝化层表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀钝化层、介质层，暴露出部分焊垫表面及部分电感金属层表面；去除所述掩膜层，以所述钝化层为掩膜刻蚀焊垫以及电感金属层，在所述焊垫内形成第一凹槽，同时在电感金属层内形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于焊垫的厚度，第二凹槽的深度小于电感金属层的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410080810.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：鳍式场效应管的形成方法
- 下一篇：硅片加工处理系统及处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
