[发明专利]单电子晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410080636.1 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104037230B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 金俊亨;李荣根;刘鸿;安成宰;金泰熙 | 申请（专利权）人： | SK新技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单电子晶体管及其制造方法。该单电子晶体管包括：沟道区域，其包括形成于基板上的连接体及由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域且用以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单电子晶体管，其包含：沟道区域，其包含形成于基板上的连接体和由结合至该连接体的金属离子所生长的金属纳米颗粒；配置于该沟道区域一端的源极区域；配置于该沟道区域另一端而与该源极区域对立的漏极区域；和耦合至该沟道区域以控制沟道区域中的电荷迁移的栅极，其中该沟道区域进一步包含：结合至金属离子或所生长的金属纳米颗粒上的有机表面活性剂；和绝缘有机材料与无机氧化物中的至少任一种，其被结合至或涂覆于已生长的金属纳米颗粒的表面上。
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