[发明专利]有机电子器件及其制造方法

摘要

本发明涉及有机电子器件及其制备方法。一种包含金属阳极和空穴注入层的有机电子器件，所述器件进一步包含介于所述金属阳极和空穴注入层之间的SAM，该SAM包含化合物，所述化合物具有能够吸附到金属阳极的表面上的结构部分和亲水的结构部分，以及制造所述器件的方法。SAM优选地由具有亲水尾部的硫代化合物组成。优选的实例包括具有6‑24个碳原子的硫代烷烃和硫代烯烃衍生物以及在一个或多个芳族环中具有5‑14个碳原子的硫代芳族衍生物。在每种情形中，所述衍生物被选自羟基、羧基和羰基的亲水基团取代。最优选地，具有亲水尾部的所述硫代化合物是11‑巯基‑1‑十一醇或4‑苯硫酚。

主权项

一种有机电子器件，所述器件包含金属阳极和空穴注入层，其中所述器件进一步包含介于所述金属阳极和所述空穴注入层之间的自组装单层，所述自组装单层包含化合物，该化合物具有能够吸附到所述金属阳极的表面上的结构部分和亲水结构部分，并且其中所述自组装单层由具有6‑24个碳原子的硫代烷烃或硫代烯烃衍生物或者在一个或多个芳族环中具有5‑14个碳原子的硫代芳族衍生物组成，其中所述硫代烷烃、硫代烯烃和硫代芳族衍生物被亲水基团取代，该亲水基团选自羟基、羧基和羰基。