[发明专利]一种高反射高绒度复合结构背电极及其制备方法无效
申请号: | 201410076820.9 | 申请日: | 2014-03-04 |
公开(公告)号: | CN103794665A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
发明(设计)人: | 许盛之;侯国付;赵静;魏长春;张晓丹;赵颖 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/20 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种高反射高绒度复合结构背电极,采用Al/ZnO/Ag/ZnO复合结构,由衬底、Al薄膜、阻挡层薄膜、Ag薄膜和介质层薄膜组成并形成叠层结构,Al薄膜具有对长波光陷光作用显著的大绒面结构;阻挡层薄膜和介质层薄膜为不掺杂和掺杂ZnO薄膜等材料,其中阻挡层薄膜具有防止形成银铝合金的作用;金属Ag薄膜具有对太阳光具有宽谱域高反射特性。本发明的优点是:金属Al形成的大绒面结构,可增强太阳光的散射能力,对太阳光具有宽谱域的高反射特性,可增强太阳光的反射能力,对400-1200纳米范围内的光反射率超过90%,提高太阳光利用率;金属Ag薄膜的厚度降低,降低了成本,提高了器件稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 反射 高绒度 复合 结构 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高反射高绒度复合结构背电极,其特征在于:采用Al/ZnO/Ag/ZnO复合结构,由衬底、Al薄膜、阻挡层薄膜、Ag薄膜和介质层薄膜组成并形成叠层结构,Al薄膜具有对长波光陷光作用显著的大绒面结构,其表面颗粒直径为100‑2000nm、表面均方根粗糙度为50‑200nm、厚度为300‑2000nm;阻挡层薄膜具有防止形成银铝合金的作用,厚度为2‑100nm;金属Ag薄膜具有对太阳光具有宽谱域高反射特性,其表面颗粒尺寸为10‑200nm、表面均方根粗糙度为10‑40nm、厚度为50‑500nm;介质层薄膜的厚度为100‑2000nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南开大学,未经南开大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410076820.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的